5G时代，GaAs材料适用于移动终端。GaAs材料的电子迁移率是Si的6倍，具有直接带隙，故其器件相对Si器件具有高频、高速的性能，被公认为是很合适的通信用半导体材料。在手机无线通信应用中，目前射频功率放大器绝大部分采用GaAs材料。

       来自市场研究机构Fact.MR的一份报告显示，从现在到2028年，当前市场规模为30亿美元的射频功率放大器市场的年度复合增长率将达到12.2%。

       根据这份报告，市场的主要增长动力来自于5G蜂窝网络的扩大部署，以及智能设备和连接技术的持续渗透。

        目前其主要厂商有美国Skyworks、Qorvo、Broadcom，日本村田等，难道我们国内就没有自己的中国芯了吗？

答案是：有！！

       日前，苏州英诺迅科技股份有限公司（新三板代码：831789）推出专用于5G通讯且兼顾其他应用的宽带放大器芯片（General Purpose Broadband Amplifier MMIC）YG802020W，可应用于5G通讯的Pre-Driver，及其他应用方面的射频微波信号放大。

先上对比

Electrical Specifications@25℃

        苏州英诺迅YG802020W芯片基于三安集成电路有限公司的InGaP/GaAs HBT工艺制程；内部集成有源偏置及温度补偿电路，以提高电路线性度，实现温度补偿；芯片工作频段50MHz~8GHz，覆盖3G/4G/5G移动通讯、GPS/CPMPASS/BDS、2.4GHz/5.8GHz ISM等无线通信频段；芯片采用单电源5V供电，并可通过外接不同阻值的电阻调节偏置电流；芯片采用符合工业标准的DFN封装，内置ESD和VSWR保护，具有高可靠性。

主要性能特点：

电源电压Vcc（V）：3.3~5V

静态电流（mA）：10~93

工作带宽（MHz）：50~8000

带内增益（dB）：≥18

增益平坦度（dB）：±1.5

P1dB（dBm）：21@3.5GHz

增益（dB）：18.5@3.5GHz

OIP3（dBm）：+35@3.5GHz

≥+34.5@3.2~3.8GHz（5G通讯n78频段）

≥+34@2.3~2.7GHz（5G通讯n41频段）

封装形式：DFN-2x2-6L

5G应用样板测试曲线：

图1.带内小信号S参数测试曲线（Ic=75mA）

图2.带内不同工作电流情况下噪声vs.频率测试结果（Vcc=5V，Temp=+25℃，50欧姆系统）

图3. 5G通讯n78频段P1dB vs.频率测试结果（Vcc=5V，Temp=+25℃，50欧姆系统）

图4.5G通讯n78频段OIP3vs.频率测试结果（Vcc=5V，Temp=+25℃，50欧姆系统）

图5.5G通讯n41频段 P1dBvs.频率测试结果（Vcc=5V，Temp=+25℃，50欧姆系统）

图6.5G通讯n41频段OIP3vs.频率测试结果（Vcc=5V，Temp=+25℃，50欧姆系统）

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